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麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭

麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭

簡(jiǎn)要描述:麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭
帶寬:DC-500MHz
共模電壓: 85kVpk
直流增益精度:1%
共模抑制比:高達(dá)180dB
基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭,擁有的共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號(hào)的全部真相,
是判定其他 電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。

更新時(shí)間:2024-09-14

產(chǎn)品型號(hào): OIP200B

所屬分類:麥科信示波器

訪問(wèn)量:568

詳細(xì)說(shuō)明:

麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭


麥科信MICSIG OIP B系列SigOFIT光隔離探頭

帶寬:DC-500MHz

共模電壓: 85kVpk

直流增益精度:1%

共模抑制比:高達(dá)180dB

產(chǎn)品概述:

基于SigOFIT™ 技術(shù)的光隔離探頭,擁有的共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號(hào)的全部真相,

是判定其他 電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。

產(chǎn)品特點(diǎn):

最真實(shí)的信號(hào)呈現(xiàn)

SigOFIT光隔離探頭具有的共模抑制比,在100MHz時(shí)CMRR高達(dá)128dB、在500MHz時(shí)CMRR仍然高達(dá)114dB,是判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判。

麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭

 

測(cè)試精度與穩(wěn)定性

作為判定其他電壓探頭所測(cè)信號(hào)真實(shí)性的裁判,測(cè)試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標(biāo)。SigOFIT光隔離探頭,具有幅頻特性,直流增益精度優(yōu)于1%,底噪小于1.46mVrms,預(yù)熱后零點(diǎn)漂移小于500μV

麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭

 

第三代半導(dǎo)體的最佳測(cè)試手段

第三代半導(dǎo)體器件由于導(dǎo)通與關(guān)斷時(shí)間很短,信號(hào)具有更快的上升沿和下降沿,信號(hào)中具有很高能量的高頻諧波,SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時(shí),仍然具有超100dB的共模抑制比,可抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩,所呈現(xiàn)的信號(hào)沒(méi)有額外多余成分,是第三代半導(dǎo)體測(cè)試工具

麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭

 

測(cè)試氮化鎵(GaN)不炸管

SigOFIT光隔離探頭測(cè)試引線短且采用同軸傳輸,探頭輸入電容低至2.6pF,測(cè)試氮化鎵(GaN)十分安全。

麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭

 

使用靈活,高效便捷

SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小,探頭引線更精巧,使用更加靈活方便;探頭響應(yīng)快,上電即測(cè),校準(zhǔn)時(shí)間小于1秒,可實(shí)時(shí)保證精確的信號(hào)輸出。

麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭

 

測(cè)試量程更寬

不同于高壓差分探頭只可以測(cè)試高壓信號(hào),SigOFIT光隔離探頭通過(guò)匹配不同的衰減器,可以測(cè)試±1.25V±5000V的差模信號(hào),并實(shí)現(xiàn)滿量程輸出,達(dá)到很高的信噪比。

麥科信MICSIG OIP100B SigOFIT光隔離探頭

 

應(yīng)用場(chǎng)景

對(duì)其他電壓探頭所測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確性、真實(shí)性存在質(zhì)疑時(shí),SigOFIT光隔離探頭可作為最終裁判依據(jù)。

電源設(shè)備評(píng)估、電流并聯(lián)測(cè)量、EMI ESD 故障排除

電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)、功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 、電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)

氮化鎵、碳化硅、IGBT/全橋設(shè)備的設(shè)計(jì)與分析

高壓高帶寬測(cè)試應(yīng)用的安全隔離測(cè)試

逆變器、UPS及開關(guān)電源的測(cè)試

寬電壓、寬帶測(cè)試應(yīng)用

各種浮地測(cè)試

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產(chǎn)品參數(shù):

產(chǎn)品型號(hào)

OIP100B

OIP200B

OIP500B

    

100MHz

200MHz

500MHz

上升時(shí)間

≤3.5ns

≤1.75ns

≤700ps

共模抑制比

DC: 180dB  100MHz: 128dB

DC: 180dB  200MHz: 122dB

DC: 180dB  500MHz: 114dB

差模電壓

±5000V

    

<1.46mVrms

直流增益精度

1%

共模電壓

85kVpk

 



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